ეს სტატია აღწერს RF კონვერტორის დიზაინს, ბლოკ დიაგრამებთან ერთად, რომელიც აღწერს RF კონვერტორის დიზაინს და RF ქვედა კონვერტორის დიზაინს.იგი აღნიშნავს სიხშირის კომპონენტებს, რომლებიც გამოიყენება ამ C-band სიხშირის გადამყვანში.დიზაინი ხორციელდება მიკროზოლის დაფაზე დისკრეტული RF კომპონენტების გამოყენებით, როგორიცაა RF მიქსერები, ადგილობრივი ოსცილატორები, MMICs, სინთეზატორები, OCXO საცნობარო ოსცილატორები, ატენუატორის ბალიშები და ა.შ.
RF up კონვერტორის დიზაინი
RF სიხშირის გადამყვანი ეხება სიხშირის გადაქცევას ერთი მნიშვნელობიდან მეორეზე.მოწყობილობა, რომელიც აკონვერტირებს სიხშირეს დაბალი მნიშვნელობიდან მაღალ მნიშვნელობაზე, ცნობილია როგორც ზევით გადამყვანი.რადგან ის მუშაობს რადიოსიხშირეებზე, ცნობილია როგორც RF up კონვერტორი.RF Up კონვერტორის ეს მოდული თარგმნის IF სიხშირეს დაახლოებით 52-დან 88 MHz-მდე დიაპაზონში RF სიხშირეზე დაახლოებით 5925-დან 6425 GHz-მდე.აქედან გამომდინარე, იგი ცნობილია როგორც C-band up გადამყვანი.იგი გამოიყენება როგორც RF გადამცემის ერთ-ერთი ნაწილი, რომელიც განლაგებულია VSAT-ში, რომელიც გამოიყენება სატელიტური საკომუნიკაციო აპლიკაციებისთვის.
სურათი-1: RF up კონვერტორის ბლოკ-სქემა
მოდით ვნახოთ RF Up კონვერტორის ნაწილის დიზაინი ნაბიჯ-ნაბიჯ სახელმძღვანელოთი.
ნაბიჯი 1: შეიტყვეთ მიქსერები, ლოკალური ოსცილატორი, MMICs, სინთეზატორი, OCXO საცნობარო ოსცილატორი, ზოგადად ხელმისაწვდომი ატენუატორის ბალიშები.
ნაბიჯი 2: გააკეთეთ სიმძლავრის დონის გამოთვლა წყობის სხვადასხვა ეტაპზე, განსაკუთრებით MMIC-ების შეყვანისას ისე, რომ არ აღემატებოდეს მოწყობილობის შეკუმშვის წერტილს 1 დბ.
ნაბიჯი 3: შეიმუშავეთ და სათანადო მიკრო ზოლებზე დაფუძნებული ფილტრები სხვადასხვა ეტაპზე, რათა გაფილტროთ არასასურველი სიხშირეები მიქსერების შემდეგ დიზაინში, იმის მიხედვით, თუ რომელი ნაწილის სიხშირის დიაპაზონის გავლა გსურთ.
ნაბიჯი 4: გააკეთეთ სიმულაცია მიკროტალღური ოფისის ან სწრაფი HP EEsof-ის გამოყენებით გამტარის შესაბამისი სიგანეებით, როგორც ეს საჭიროა PCB-ის სხვადასხვა ადგილას არჩეული დიელექტრიკისთვის, როგორც საჭიროა RF გადამზიდი სიხშირისთვის.არ დაგავიწყდეთ სიმულაციის დროს დამცავი მასალის გამოყენება დანარად.შეამოწმეთ S პარამეტრები.
ნაბიჯი 5: დაამზადეთ PCB და შეადუღეთ შეძენილი კომპონენტები და შეადუღეთ იგივე.
როგორც ნაჩვენებია ფიგურა-1-ის ბლოკ-სქემაზე, შესაბამისი ატენუატორის ბალიშები 3 dB ან 6dB უნდა იქნას გამოყენებული მოწყობილობების 1dB შეკუმშვის წერტილზე (MMIC და მიქსერები).
ადგილობრივი ოსცილატორი და შესაბამისი სიხშირეების სინთეზატორი უნდა იყოს გამოყენებული.70 MHz-ზე C დიაპაზონის კონვერტაციისთვის რეკომენდებულია LO 1112,5 MHz და სინთეზატორი 4680-5375 MHz სიხშირის დიაპაზონში.მიქსერის არჩევის წესი არის LO სიმძლავრე 10 დბ-ით მეტი, ვიდრე P1dB-ზე შეყვანის სიგნალის უმაღლესი დონე.GCN არის გაზრდის კონტროლის ქსელი, რომელიც შექმნილია PIN დიოდური ატენუატორების გამოყენებით, რომლებიც ცვლის შესუსტებას ანალოგური ძაბვის მიხედვით.გახსოვდეთ, რომ გამოიყენოთ Band Pass და Lowpass ფილტრები, როგორც და როცა საჭიროა არასასურველი სიხშირეების გასაფილტრად და სასურველი სიხშირეების გასატარებლად.
RF Down კონვერტორის დიზაინი
მოწყობილობა, რომელიც აკონვერტებს სიხშირეს მაღალი მნიშვნელობიდან დაბალ მნიშვნელობაზე, ცნობილია, როგორც ქვემოთ გადამყვანი.რადგან ის მუშაობს რადიო სიხშირეებზე, ცნობილია როგორც RF down კონვერტორი.მოდით ვნახოთ RF ქვედა კონვერტორის ნაწილის დიზაინი ნაბიჯ-ნაბიჯ სახელმძღვანელოთი.RF ქვემოთ გადამყვანის მოდული თარგმნის RF სიხშირეს 3700-დან 4200 MHz-მდე IF სიხშირემდე 52-დან 88 MHz-მდე დიაპაზონში.აქედან გამომდინარე, იგი ცნობილია როგორც C-band down კონვერტორი.
სურათი-2: RF ქვემოთ კონვერტორის ბლოკ-სქემა
ფიგურა-2 ასახავს C ზოლის ქვემოთ გადამყვანის ბლოკ-სქემას RF კომპონენტების გამოყენებით.მოდით ვნახოთ RF ქვედა კონვერტორის ნაწილის დიზაინი ნაბიჯ-ნაბიჯ სახელმძღვანელოთი.
ნაბიჯი 1: ორი RF მიქსერი შეირჩა Heterodyne დიზაინის მიხედვით, რომელიც გარდაქმნის RF სიხშირეს 4 გჰც-დან 1 გჰც დიაპაზონამდე და 1 გჰც-დან 70 მჰც დიაპაზონამდე.დიზაინში გამოყენებული RF მიქსერი არის MC24M და IF მიქსერი არის TUF-5H.
ნაბიჯი 2: შემუშავებულია შესაბამისი ფილტრები RF ქვემო კონვერტორის სხვადასხვა ეტაპზე გამოსაყენებლად.ეს მოიცავს 3700-დან 4200 MHz BPF-მდე, 1042.5 +/- 18 MHz BPF და 52-დან 88 MHz LPF-მდე.
ნაბიჯი 3: MMIC გამაძლიერებლის IC-ები და შესამცირებელი ბალიშები გამოიყენება შესაბამის ადგილებში, როგორც ეს ნაჩვენებია ბლოკ-სქემაზე, რათა დააკმაყოფილოს სიმძლავრის დონეები მოწყობილობების გამომავალსა და შეყვანაში.ისინი არჩეულია RF ქვემო კონვერტორის მომატებისა და 1 დბ შეკუმშვის წერტილის მოთხოვნების მიხედვით.
ნაბიჯი 4: RF სინთეზატორი და LO, რომლებიც გამოიყენება ზედა კონვერტორის დიზაინში, ასევე გამოიყენება ქვედა კონვერტორის დიზაინში, როგორც ნაჩვენებია.
ნაბიჯი 5: RF იზოლატორები გამოიყენება შესაბამის ადგილებში, რათა RF სიგნალმა გაიაროს ერთი მიმართულებით (ანუ წინ) და შეაჩეროს მისი RF ასახვა უკანა მიმართულებით.ამიტომ იგი ცნობილია როგორც ცალმხრივი მოწყობილობა.GCN ნიშნავს მოგების კონტროლის ქსელს.GCN ფუნქციონირებს, როგორც ცვლადი შესუსტების მოწყობილობა, რომელიც საშუალებას იძლევა დააყენოთ RF გამომავალი, როგორც სასურველია RF კავშირის ბიუჯეტისთვის.
დასკვნა: ამ RF სიხშირის გადამყვანის დიზაინში ნახსენები ცნებების მსგავსად, შეიძლება დაპროექტდეს სიხშირის გადამყვანები სხვა სიხშირეებზე, როგორიცაა L band, Ku band და mmwave band.
გამოქვეყნების დრო: დეკ-07-2023
